Sergi Hernández

Catedràtic d'Universitat

Scopus Author ID: 7103130319

Researcher ID: H-3426-2016

Àrea de coneixement : Tecnologia Electrònica

Grup de Recerca: Micronanotecnologies i nanoscòpies per dispositius electrònics i fotònics (MIND)

Grups d'Innovació Docent: e-Lindo

Informació de contacte
Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica
c/ Martí i Franquès nº 1, Planta 2, despaxt 212
934029069
shernandez(a)ub.edu

El meu perfil

Vaig obtenir la Llicenciatura en Física per la Universitat de Barcelona, realitzada durant els cursos 1994-95 i 1997-98, seguint l'itinerari de física experimental. Un cop finalitzats aquests estudis, vaig començar la meva trajectòria predoctoral a l'Institut Jaume Almera del CSIC (agost del 1998) alhora que començada també els estudis de tercer cicle dins del programa de doctorat Programa de Tècniques Instrumentals de la Física i la Ciència de Materials (Departament de Física Aplicada i Òptica, Universitat de Barcelona), en el bienni 1998-2000. La finalització d'aquests estudis va concloure amb la lectura del Treball de Recerca 'Fonones en Puntos Cuánticos Autoensamblados de InAs/GaAs' (29/09/2000) amb la qualificació d'Excel¿lent [treball realitzat sota la direcció del Dr. Luís Artús Surroca, del Consell Superior d'Investigacions Científiques (CSIC)] i obtenint així la suficiència investigadora.
Els tres anys posteriors els vaig dedicar al desenvolupament de la tesi doctoral que va portar per títol 'Propiedades Vibracionales de Compuestos Basados en en (In, Ga) As' [desenvolupada a l'Institut Jaume Almera (CSIC) també sota la direcció del Dr. Luís Artús Surroca i presentada a la Universitat de Barcelona el 29/05/2003]. Dins del treball de tesi, els estudis es van centrar en analitzar les propietats vibracionals i òptiques de semiconductors dels grups III-V, utilitzant tècniques òptiques com ara espectroscòpia Raman, d'infraroig i fotoluminiscència. Al treball de tesi li va ser atorgada la màxima qualificació d'Excel¿lent Cum Laude, obtenint així el títol de Doctor en Física. Durant aquest període vaig poder gaudir de la beca predoctoral de la Generalitat de Catalunya (FI, Formació de personal Investigador).
Posteriorment, em va ser atorgada una beca postdoctoral de 2 anys de durada per realitzar estudis de materials electro-òptics (nitrurs del grup III) a la University of Strathclyde (Glasgow, UK), des del novembre del 2003 fins al novembre del 2005. En l'estada postdoctoral vaig tenir l'oportunitat de formar-me en diverses tècniques de caracterització òptiques, com ara fotoluminiscència, catodoluminiscencia, absorció òptica i XEOL (X-ray excited optical luminescence).
Un cop finalitzada la meva estada a Escòcia, vaig aconseguir un contracte postdoctoral Juan de la Cierva per treballar en el grup que actualment em trobo (Grup de Recerca Consolidat MIND - 2017SGR776, del departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica). Aquest contracte postdoctoral va finalitzar en aconseguir una plaça de Professor Lector (setembre del 2007), que actualment s'ha convertit en Professor Agregat (setembre del 2015).
Des del meu incorporació a la Universitat de Barcelona, he participat activament en docència, en gestió interna del departament i en la direcció d'estudiants, tant de grau, màster i doctorat. Cal esmentar també que des del febrer del 2014 estic coordinant el Màster Oficial en Nanociència i Nanotecnologia que ofereix la Universitat de Barcelona i, des d'Octubre del 2017, en sóc el coordinador local del programa de Màster Erasmus Mundus+ en Nanoscience and Nanotechnology (http://www.emm-nano.org/). Des del punt de vista de la recerca, he participat en el desenvolupament de projectes d'àmbit nacional i europeu, estudiant diferents tipus de materials luminiscents (ZnO, MgO, SiOx, GaN, Inn, InGaN), tant a nivell de caracterització estructural, òptica, elèctrica, electro-òptica i fotònica - info

Formació acadèmica

Suficiencia investigadora . Universitat de Barcelona . 30/09/2000 . (Diplomatura / Llicenciatura / Grau)

Licenciado en Fisica . Universitat de Barcelona . 01/07/1998 . (Diplomatura / Llicenciatura / Grau)

Doctor en Física . Universitat de Barcelona . 29/05/2003 . (Doctorat )

Docència Impartida

Disseny Digital Bàsic (Grau) - Enginyeria Informàtica - Universidad de Barcelona.

Dispositius Optoelectrònics (Grau) - Enginyeria Electrònica de Telecomunicació - Universidad de Barcelona.

Nanoenergia (Màster oficial) - Nanociencia y Nanotecnología - Universidad de Barcelona.

Ciència i Anàlisi de Superfícies (Màster oficial) - Nanociencia y Nanotecnología - Universidad de Barcelona.

Participació en Projectes

Optoelectrónica impresa basada en óxidos metálicos y perovskitas . 2020 - 2023 . Ref.PID2019-105658RB-I00 . Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades . IP: Blas Garrido Fernandez; Albert Cirera Hernandez

Monitorización continua bidimensional de tensiones en biopsias frescas de tejido . 2020 - 2022 . Ref.EIN2020-112250 . Ministerio de Ciencia e Innovación (MICINN) . IP: Albert Romano Rodriguez

DRop-on demand flexible Optoelectronics & Photovoltaics by means of Lead-Free halide perovskITes (DROP-IT) . 2019 - 2023 . Ref.862656 . Unió Europea . IP: Blas Garrido Fernandez

Contracte del Programa Juan de la Cierva-Incorporació 2017 . 2019 - 2021 . Ref.IJCI-2017-33451 . Ministerio de Economia y Competitividad . IP: Julià Vidrier Lopez

Doctorats industrials 2018. Empresa: Enlighting Technologies . 2018 - 2021 . Ref.2018DI033 . Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca (AGAUR) . IP: Sergi Hernández Márquez; Blas Garrido Fernandez

Contrato de transferencia tecnológica y de licencia de tecnología . 2017 - 2037 . Ref.309391 . Enlighting Technologies SL . IP: Blas Garrido Fernandez; Adria Huguet Ferran; Sergi Hernández Márquez

Publicacions en revistes

Frieiro, J. L.; López-Vidrier, J.; Blázquez, O.; Ibáñez, J.; Yazıcıoğlu, D.; Gutsch, S.; Zacharias, M.; Garrido, B.; Hernandez, S. (2021). Electroforming of Si NCs/p-Si photovoltaic devices: Enhancement of the conversion efficiency through resistive switching. Solar Energy Materials and Solar Cells, 230, p. 111252 . Repositori Institucional . ISSN: 0927-0248

Frieiro, J.L.; Guillaume, C.; López-Vidrier, J.; Blázquez, O.; González-Torres, S.; Labbé, C.; Hernández, S.; Portier X.; Garrido, B. (2020). Toward RGB LEDs based on rare earth-doped ZnO. Nanotechnology, 31(46), p. 465207 . Repositori Institucional . ISSN: 0957-4484

López-Vidrier, J.; Frieiro, J.L.; Blázquez, O.; Yazıcıoğlu, D.; Gutsch, S.; González-Flores, K.E.; Zacharias, M.; Hernández, S.; Garrido, B. (2020). Photoelectrical reading in ZnO/Si NCs/p-Si resistive switching devices. Applied Physics Letters, 116, p. 193503 . Repositori Institucional . ISSN: 0003-6951

Hernández, S.; López-Vidrier, J.; López-Conesa, L.; Hiller, D.; Gutsch, S.; Ibáñez, J.; Estradé, S.; Peiró, S.; Zacharias, M.; Garrido, B. (2014). Determining the crystalline degree of silicon nanoclusters/SiO2 multilayers by Raman scattering. Journal of Applied Physics, 115, p. 203504 . https://doi.org/10.1063/1.4878175 . ISSN: 0021-8979

Ibáñez, J.; Hernández, S.; López-Vidrier, J.; Hiller, D.; Gutsch, S.; Zacharias, M.; Segura, A.; Valenta, J.; Garrido, B. (2015). Optical emission from SiO2-embedded silicon nanocrystals: a high pressure Raman and photoluminescence study. Physical Review B, 92(3), p. 035432 . Repositori Institucional . ISSN: 2469-9950

Vescio, G.; Frieiro, J.L.; Gualdrón‐Reyes, A.F.; Hernández, S.; Mora‐Seró, I.; Garrido, B.; Cirera, A.; (2022). High Quality Inkjet Printed‐Emissive Nanocrystalline Perovskite CsPbBr₃ Layers for Color Conversion Layer and LEDs Applications. Advanced Materials Technologies, 7(7), pp. 1 - 11 . Repositori Institucional . ISSN: 2365-709X

Patents, Programari i Base de Dades

Method for generating light spectra and corresponding device (Països Membres de la Convenció Europea de Patents, 08/08/2018)

Method for generating light spectra and corresponding device (Països membres del Tractat de Cooperació en Matèria de Patents, 31/07/2019)

Method for generating light spectra and corresponding device (ESTATS UNITS D'AMÈRICA, 05/02/2021)

Method for generating light spectra and corresponding device (Països Membres de la Convenció Europea de Patents, 25/02/2021)